EPC2029ENGRT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل EPC2029ENGRT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل EPC2029ENGRT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء EPC2029ENGRT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
EPC2029ENGRT
- رقم القطعة:
- EPC2029ENGRT
- الصانع:
- EPC
- وصف:
- TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22389 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- EPC2029ENGRT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 1400pF @ 40V |
| الجهد - انهيار: | Die |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.2 mOhm @ 30A, 5V |
| تكنولوجيا: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| سلسلة: | eGaN® |
| بنفايات الحالة: | Digi-Reel® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 31A (Ta) |
| الاستقطاب: | Die |
| اسماء اخرى: | 917-EPC2029CENGRDKR 917-EPC2029CENGRDKR-ND 917-EPC2029CENGRTDKR 917-EPC2029CENGRTDKR-ND 917-EPC2029ENGRDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | EPC2029ENGRT |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 13nC @ 5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.5V @ 12mA |
| FET الميزة: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 80V 31A (Ta) Surface Mount Die |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | - |
| وصف: | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80V |
| نسبة السعة: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لEPC2029ENGRT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2023ENGR | EPC | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC2032 | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC2029ENGR | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2030ENGRT | EPC | MOSFET NCH 40V 31A DIE | تحقيق |
 |
EPC2030ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2032ENGRT | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2031ENGR | EPC | TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC2024ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2024ENG | EPC | TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2032ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2030 | EPC | MOSFET NCH 40V 31A DIE | تحقيق |
|
EPC2031 | EPC | MOSFET NCH 60V 31A DIE | تحقيق |
|
EPC2029 | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2023 | EPC | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2033 | EPC | TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2031ENGRT | EPC | MOSFET NCH 60V 31A DIE | تحقيق |
 |
EPC2025ENGR | EPC | TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2023ENG | EPC | TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2024 | EPC | MOSFET NCH 40V 60A DIE | تحقيق |
 |
EPC2025 | EPC | TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM