EPC2032ENGR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل EPC2032ENGR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل EPC2032ENGR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء EPC2032ENGR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
EPC2032ENGR
- رقم القطعة:
- EPC2032ENGR
- الصانع:
- EPC
- وصف:
- TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28809 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- EPC2032ENGR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 1530pF @ 50V |
| الجهد - انهيار: | Die |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4 mOhm @ 30A, 5V |
| تكنولوجيا: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| سلسلة: | eGaN® |
| بنفايات الحالة: | Tray |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 48A (Ta) |
| الاستقطاب: | Die |
| اسماء اخرى: | 917-EPC2032ENGR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | EPC2032ENGR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 15nC @ 5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.5V @ 11mA |
| FET الميزة: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 48A (Ta) Surface Mount Die |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | - |
| وصف: | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100V |
| نسبة السعة: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لEPC2032ENGR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2030 | EPC | MOSFET NCH 40V 31A DIE | تحقيق |
 |
EPC2030ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2033 | EPC | TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2031ENGR | EPC | TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2030ENGRT | EPC | MOSFET NCH 40V 31A DIE | تحقيق |
|
EPC2029 | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2034ENGRT | EPC | TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC2034ENGR | EPC | TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2033ENGRT | EPC | TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC2036 | EPC | TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
EPC2029ENGR | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2034 | EPC | TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2033ENGR | EPC | TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2032ENGRT | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2029ENGRT | EPC | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2036ENGRT | EPC | MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE | تحقيق |
|
EPC2031 | EPC | MOSFET NCH 60V 31A DIE | تحقيق |
|
EPC2032 | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2035 | EPC | TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE | تحقيق |
|
EPC2031ENGRT | EPC | MOSFET NCH 60V 31A DIE | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي