DSEP8-12A متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DSEP8-12A، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DSEP8-12A عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DSEP8-12A مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DSEP8-12A
- رقم القطعة:
- DSEP8-12A
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 32934 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DSEP8-12A.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.94V @ 10A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AC |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | HiPerFRED™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 40ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-2 |
| اسماء اخرى: | DSEP812A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 1200V 10A Through Hole TO-220AC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 60µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 10A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSEP8-12A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEP8-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | تحقيق |
 |
DSEP60-06AT | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 60A TO268AA | تحقيق |
|
DSEP8-06B | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | تحقيق |
 |
DSEP8-03AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 300V 8A TO252AA | تحقيق |
 |
DSEP30-12AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
DSEP6-06BS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA | تحقيق |
|
DSEP8-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC | تحقيق |
|
DSEP75-06AR | IXYS | DIODE GEN 600V 75A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
DSEP60-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD | تحقيق |
|
DSEP30-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD | تحقيق |
|
DSEP8-02A | IXYS | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC | تحقيق |
|
DSEP30-12CR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
DSEP60-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD | تحقيق |
|
DSEP60-025A | IXYS | DIODE GEN PURP 250V 60A TO247AD | تحقيق |
 |
DSEP40-03AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 300V 40A TO263 | تحقيق |
|
DSEP6-06AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA | تحقيق |
 |
DSEP60-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 60A TO247 | تحقيق |
|
DSEP60-12AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 60A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
DSEP60-04A | IXYS | DIODE GEN PURP 400V 60A TO247 | تحقيق |
|
DSEP9-06CR | IXYS | DIODE GEN 600V 9A ISOPLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات