DSEP60-06AT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DSEP60-06AT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DSEP60-06AT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DSEP60-06AT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DSEP60-06AT
- رقم القطعة:
- DSEP60-06AT
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 60A TO268AA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26147 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DSEP60-06AT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 60A |
| الجهد - انهيار: | TO-268AA |
| سلسلة: | HiPerFRED™ |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 35ns |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DSEP60-06AT |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 60A Surface Mount TO-268AA |
| تكوين الصمام الثنائي: | 650µA @ 600V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 60A TO268AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 2.04V @ 60A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 600V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSEP60-06AT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEP8-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC | تحقيق |
|
DSEP8-02A | IXYS | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC | تحقيق |
 |
DSEP9-06CR | IXYS | DIODE GEN 600V 9A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
DSEP60-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD | تحقيق |
|
DSEP30-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD | تحقيق |
 |
DSEP8-03AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 300V 8A TO252AA | تحقيق |
 |
DSEP60-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 60A TO247 | تحقيق |
|
DSEP6-06BS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA | تحقيق |
|
DSEP30-12AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
DSEP8-06B | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | تحقيق |
|
DSEP60-12AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 60A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
DSEP60-025A | IXYS | DIODE GEN PURP 250V 60A TO247AD | تحقيق |
|
DSEP60-04A | IXYS | DIODE GEN PURP 400V 60A TO247 | تحقيق |
|
DSEP8-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | تحقيق |
 |
DSEP40-03AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 300V 40A TO263 | تحقيق |
|
DSEP30-12CR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
DSEP8-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC | تحقيق |
|
DSEP60-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD | تحقيق |
|
DSEP6-06AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA | تحقيق |
|
DSEP75-06AR | IXYS | DIODE GEN 600V 75A ISOPLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU