DSEP8-12A พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DSEP8-12A เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DSEP8-12A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DSEP8-12A ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DSEP8-12A
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DSEP8-12A
- ผู้ผลิต:
- IXYS Corporation
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 32934 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DSEP8-12A.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 2.94V @ 10A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 1200V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-220AC |
| ความเร็ว: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ชุด: | HiPerFRED™ |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 40ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-2 |
| ชื่ออื่น: | DSEP812A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 32 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Standard 1200V 10A Through Hole TO-220AC |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 60µA @ 1200V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 10A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DSEP8-12A
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEP8-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | การสอบสวน |
 |
DSEP60-06AT | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 60A TO268AA | การสอบสวน |
|
DSEP8-06B | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | การสอบสวน |
 |
DSEP8-03AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 300V 8A TO252AA | การสอบสวน |
 |
DSEP30-12AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247 | การสอบสวน |
|
DSEP6-06BS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA | การสอบสวน |
|
DSEP8-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC | การสอบสวน |
|
DSEP75-06AR | IXYS | DIODE GEN 600V 75A ISOPLUS247 | การสอบสวน |
 |
DSEP60-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD | การสอบสวน |
|
DSEP30-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD | การสอบสวน |
|
DSEP8-02A | IXYS | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC | การสอบสวน |
|
DSEP30-12CR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247 | การสอบสวน |
|
DSEP60-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD | การสอบสวน |
|
DSEP60-025A | IXYS | DIODE GEN PURP 250V 60A TO247AD | การสอบสวน |
 |
DSEP40-03AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 300V 40A TO263 | การสอบสวน |
|
DSEP6-06AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA | การสอบสวน |
 |
DSEP60-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 60A TO247 | การสอบสวน |
|
DSEP60-12AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1.2KV 60A ISOPLUS247 | การสอบสวน |
|
DSEP60-04A | IXYS | DIODE GEN PURP 400V 60A TO247 | การสอบสวน |
|
DSEP9-06CR | IXYS | DIODE GEN 600V 9A ISOPLUS247 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด