DD1200S45KL3B5NOSA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DD1200S45KL3B5NOSA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DD1200S45KL3B5NOSA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DD1200S45KL3B5NOSA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DD1200S45KL3B5NOSA1
- رقم القطعة:
- DD1200S45KL3B5NOSA1
- وصف:
- DIODE MODULE 1200V 1200A
- كمية المخزون:
- 35648 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DD1200S45KL3B5NOSA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 3.1V @ 1200A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 4500V |
| تجار الأجهزة حزمة: | Module |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| حزمة / كيس: | Module |
| اسماء اخرى: | DD1200S45KL3_B5 DD1200S45KL3_B5-ND SP000997618 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -50°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| تكوين الصمام الثنائي: | 2 Independent |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 2 Independent Standard 4500V Chassis Mount Module |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1500A @ 2800V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDD1200S45KL3B5NOSA1
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار