DD1200S45KL3B5NOSA1은 지금 이용 가능합니다!LYNTEAM 기술은 DD1200S45KL3B5NOSA1의 스타킹 배포자이며, 즉시 배송을위한 주식이 있으며 장시간 공급 가능합니다.이메일로 DD1200S45KL3B5NOSA1에 대한 구매 계획을 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
LYNTEAM로 DD1200S45KL3B5NOSA1을 구입하고, 돈과 시간을 절약하십시오.
우리의 이메일 : [email protected].
DD1200S45KL3B5NOSA1
- 제품 모델:
- DD1200S45KL3B5NOSA1
- 기술:
- DIODE MODULE 1200V 1200A
- 재고 수량:
- 35648 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- DD1200S45KL3B5NOSA1.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우: | 3.1V @ 1200A |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대): | 4500V |
| 제조업체 장치 패키지: | Module |
| 속도: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 연속: | - |
| 패키지 / 케이스: | Module |
| 다른 이름들: | DD1200S45KL3_B5 DD1200S45KL3_B5-ND SP000997618 |
| 작동 온도 - 정션: | -50°C ~ 125°C |
| 실장 형: | Chassis Mount |
| 다이오드 유형: | Standard |
| 다이오드 구성: | 2 Independent |
| 상세 설명: | Diode Array 2 Independent Standard 4500V Chassis Mount Module |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향: | 1500A @ 2800V |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당): | - |
| Email: | [email protected] |
DD1200S45KL3B5NOSA1에 대한 관련 부품
Latest 뉴스
- 벽 창립자들은 끝나고 HBM 또는 DRAM이 다시 상승하게됩니다.
- AI 휴대 전화 및 PC 확장 수요, 글로벌 반도체 제조 산업 개선
- 네트워크 보안 이미지 센서에 대한 ADA 및 캐빈 모니터링 시스템의 요구 사항 이해
- Samsung과 Sk Hynix가 DDR3을 멈추고 프로모션 견적이 20 % 증가했다는 소문이 있습니다.
- Melexis는 MLX90427 : 라인 제어에 새로운 선택, 안전하고 효율적이며 경제적 인 출시
- NXP와 Ansonmei의 재무 보고서가 발표되었으며 구리 가격의 가격은 IC 산업으로 전달됩니다.
- Moels Micro Electronics는 중국 대만에 새로운 사무실을 설립하여 비즈니스 영토를 확장했습니다
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- SEF 반도체 (ST)의 1 분기 재무 보고서는 감소하고 자동차 수요가 둔화되었습니다.
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- 로컬 성숙한 칩 볼륨, 삼성 NAND 플래시 메모리 생산 용량 근처 부하
- Vishay는 최소 포장을 발사합니다. 높은 밝기 작은 파란색과 순수한 녹색 LED