DD1217AS-H-2R2N=P3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DD1217AS-H-2R2N=P3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DD1217AS-H-2R2N=P3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DD1217AS-H-2R2N=P3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DD1217AS-H-2R2N=P3
- رقم القطعة:
- DD1217AS-H-2R2N=P3
- الصانع:
- Murata Electronics
- وصف:
- FIXED IND 2.2UH 8.7A 9.9 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41088 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DD1217AS-H-2R2N=P3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±30% |
| حجم / البعد: | 0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | DEM8045C |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 490-13196-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 2.2µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.177" (4.50mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 8.7A 9.9 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 9.9 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 8.7A |
| الحالي - التشبع: | 12.4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDD1217AS-H-2R2N=P3
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل