BLF644PU متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF644PU، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF644PU عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF644PU مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF644PU
- رقم القطعة:
- BLF644PU
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50293 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.BLF644PU.pdf2.BLF644PU.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 32V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | LDMOST |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 100W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-1228A |
| اسماء اخرى: | 1603-1071 934067635112 BLF644PU-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 23.5dB |
| تردد: | 860MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 200mA 860MHz 23.5dB 100W LDMOST |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF644PU
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF574XR,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A | تحقيق |
 |
BLF647P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | تحقيق |
 |
BLF647PS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | تحقيق |
 |
BLF6G05LS-200RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G05LS-200RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF574XRS,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B | تحقيق |
 |
BLF573,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A | تحقيق |
|
BLF573S,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF578XR,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF640U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | تحقيق |
 |
BLF642,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C | تحقيق |
|
BLF578,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A | تحقيق |
|
BLF6G10-160RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A | تحقيق |
|
BLF6G10-200RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF647,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A | تحقيق |
|
BLF6G10-135RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | تحقيق |
|
BLF647PSJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | تحقيق |
|
BLF645,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A | تحقيق |
|
BLF574,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF578XRS,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار