BLF647PS,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF647PS,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF647PS,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF647PS,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF647PS,112
- رقم القطعة:
- BLF647PS,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 42822 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF647PS,112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| الجهد - إخراج: | 200W |
| الجهد - انهيار: | CDFM4 |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| الاستقطاب: | SOT-1121B |
| اسماء اخرى: | 568-11648-5 934066857112 BLF647PS,112-ND |
| الضوضاء الشكل: | 32V |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLF647PS,112 |
| تردد: | 1.3GHz |
| نوع FET: | 17.5dB |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 100mA 1.3GHz 17.5dB 200W CDFM4 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 100mA |
| وصف: | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | - |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | LDMOS (Dual), Common Source |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF647PS,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF644PU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A | تحقيق |
 |
BLF578,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF578XRS,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF578XR,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF642,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLF647PSJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | تحقيق |
 |
BLF6G10-45,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A | تحقيق |
 |
BLF640U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | تحقيق |
 |
BLF6G10-160RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF6G10L-260PBM:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT1110A | تحقيق |
 |
BLF647P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | تحقيق |
|
BLF6G10-200RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF645,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A | تحقيق |
 |
BLF6G05LS-200RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF6G10L-260PBM,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT1110A | تحقيق |
|
BLF647,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A | تحقيق |
|
BLF6G05LS-200RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G10-45,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A | تحقيق |
|
BLF6G10-135RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF574XRS,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل