BLF573S,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF573S,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF573S,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF573S,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF573S,112
- رقم القطعة:
- BLF573S,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 34808 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF573S,112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 50V |
| الجهد - تقييمه: | 110V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT502B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 300W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT-502B |
| اسماء اخرى: | 568-7538 568-7538-5 568-7538-5-ND 934062175112 BLF573S,112-ND BLF573S112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 27.2dB |
| تردد: | 225MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 50V 900mA 225MHz 27.2dB 300W SOT502B |
| التصويت الحالي: | 42A |
| الحالي - اختبار: | 900mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF573S,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF640U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | تحقيق |
 |
BLF574,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF645,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A | تحقيق |
 |
BLF544,112 | Ampleon | RF FET NCHA 65V 7DB SOT171A | تحقيق |
 |
BLF574XR,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A | تحقيق |
|
BLF578,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF644PU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A | تحقيق |
|
BLF542,112 | Ampleon | RF FET NCHA 65V 16DB SOT171A | تحقيق |
 |
BLF546,112 | Ampleon | RF FET 2 NC 65V 13DB SOT268A | تحقيق |
 |
BLF573,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF642,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLF4G20S-110B,112 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | تحقيق |
 |
BLF574XRS,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B | تحقيق |
|
BLF4G22S-100,112 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B | تحقيق |
|
BLF578XR,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF521,112 | Ampleon | RF FET NCHA 40V 13DB SOT172D | تحقيق |
 |
BLF548,112 | Ampleon | RF FET 2 NC 65V 11DB SOT262A2 | تحقيق |
|
BLF571,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 27.5DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLF4G22LS-130,112 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B | تحقيق |
 |
BLF578XRS,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU