BLF189XRASU متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF189XRASU، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF189XRASU عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF189XRASU مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF189XRASU
- رقم القطعة:
- BLF189XRASU
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- BLF189XRA/SOT539/TRAY
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 42050 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF189XRASU.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 50V |
| الجهد - تقييمه: | 135V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT539B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 1700W |
| حزمة / كيس: | SOT539B |
| اسماء اخرى: | 1603-1160 934960086112 BLF189XRASU-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 26.2dB |
| تردد: | 500MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 150mA 500MHz 26.2dB 1700W SOT539B |
| التصويت الحالي: | 2.8µA |
| الحالي - اختبار: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF189XRASU
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF184XRSU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214B | تحقيق |
 |
BLF184XRGJ | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C | تحقيق |
 |
BLF2045,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 10DB SOT467C | تحقيق |
|
BLF2043F,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLF188XRSU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF188XRU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF183XRSU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B | تحقيق |
|
BLF189XRBSU | Ampleon | RF MOSFET SOT539 TRAY | تحقيق |
 |
BLF182XRU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B | تحقيق |
|
BLF2043F,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C | تحقيق |
|
BLF2324M8LS200PJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF2043,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 75V 12.5DB SOT467C | تحقيق |
|
BLF2043,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 75V 12.5DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLF184XRGQ | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C | تحقيق |
 |
BLF183XRU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121A | تحقيق |
|
BLF189XRBU | Ampleon | RF MOSFET SOT539 TRAY | تحقيق |
|
BLF189XRAU | Ampleon | BLF189XRA/SOT539/TRAY | تحقيق |
 |
BLF202,115 | Ampleon | RF FET NCHA 40V 13DB SOT409A | تحقيق |
 |
BLF188XRGJ | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C | تحقيق |
 |
BLF184XRU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار