BLF2045,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF2045,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF2045,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF2045,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF2045,112
- رقم القطعة:
- BLF2045,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 10DB SOT467C
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22664 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF2045,112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 26V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT467C |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 30W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT467C |
| اسماء اخرى: | 568-2387 934055383112 BLF2045 BLF2045-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 10dB |
| تردد: | 2GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 26V 180mA 2GHz 10dB 30W SOT467C |
| التصويت الحالي: | 4.5A |
| الحالي - اختبار: | 180mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF2045,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF2425M7L100U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF2043,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 75V 12.5DB SOT467C | تحقيق |
|
BLF2425M7L140,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF2425M6L180P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF242,112 | Ampleon | RF FET NCHA 65V 16DB SOT123A | تحقيق |
|
BLF189XRBU | Ampleon | RF MOSFET SOT539 TRAY | تحقيق |
|
BLF2043F,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C | تحقيق |
|
BLF2043,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 75V 12.5DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLF202,115 | Ampleon | RF FET NCHA 40V 13DB SOT409A | تحقيق |
|
BLF2425M6L180P,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF2425M6LS180P,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF189XRASU | Ampleon | BLF189XRA/SOT539/TRAY | تحقيق |
|
BLF2324M8LS200PU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF2425M6LS180P:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF189XRBSU | Ampleon | RF MOSFET SOT539 TRAY | تحقيق |
|
BLF189XRAU | Ampleon | BLF189XRA/SOT539/TRAY | تحقيق |
|
BLF188XRU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A | تحقيق |
|
BLF2425M7L100J | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | تحقيق |
|
BLF2043F,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C | تحقيق |
|
BLF2324M8LS200PJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل