BLF182XRU متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF182XRU، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF182XRU عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF182XRU مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF182XRU
- رقم القطعة:
- BLF182XRU
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 59936 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.BLF182XRU.pdf2.BLF182XRU.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 50V |
| الجهد - تقييمه: | 135V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 250W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT-1121B |
| اسماء اخرى: | 1603-1064 934069225112 BLF182XRU-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 28dB |
| تردد: | 108MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 100mA 108MHz 28dB 250W |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF182XRU
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF1820-90,112 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A | تحقيق |
 |
BLF188XRSU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF183XRU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121A | تحقيق |
|
BLF178XRS,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF188XRGJ | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C | تحقيق |
 |
BLF178P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 28.5DB SOT539A | تحقيق |
|
BLF178XR,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF177,112 | Ampleon | RF FET NCHA 125V 19DB SOT121B | تحقيق |
|
BLF188XRU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF184XRSU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214B | تحقيق |
 |
BLF184XRGJ | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C | تحقيق |
 |
BLF175,112 | Ampleon | RF FET NCHA 125V 20DB SOT123A | تحقيق |
 |
BLF184XRU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A | تحقيق |
|
BLF189XRASU | Ampleon | BLF189XRA/SOT539/TRAY | تحقيق |
|
BLF177CR,112 | Ampleon | RF FET NCHA 125V SOT121B | تحقيق |
 |
BLF184XRGQ | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C | تحقيق |
 |
BLF1822-10,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLF183XRSU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B | تحقيق |
|
BLF174XRS,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214B | تحقيق |
 |
BLF182XRSU | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU