APTGT200H120G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTGT200H120G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTGT200H120G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTGT200H120G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTGT200H120G
- رقم القطعة:
- APTGT200H120G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35997 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APTGT200H120G.pdf2.APTGT200H120G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.1V @ 15V, 200A |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP6 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 890W |
| حزمة / كيس: | SP6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | No |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 14nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 350µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 280A |
| ترتيب: | Full Bridge Inverter |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTGT200H120G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT200DH60G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 | تحقيق |
|
APTGT200SK60TG | Microsemi | IGBT 600V 290A 625W SP4 | تحقيق |
|
APTGT20DSK60T3G | Microsemi | IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3 | تحقيق |
|
APTGT200DA170D3G | Microsemi | IGBT 1700V 400A 1250W D3 | تحقيق |
|
APTGT20A60T1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | تحقيق |
|
APTGT200DA120D3G | Microsemi | IGBT 1200V 300A 1050W D3 | تحقيق |
|
APTGT200H60G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 | تحقيق |
|
APTGT200SK170D3G | Microsemi | IGBT 1700V 400A 1250W D3 | تحقيق |
|
APTGT20DDA60T3G | Microsemi | IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3 | تحقيق |
|
APTGT200SK120D3G | Microsemi | IGBT 1200V 300A 1050W D3 | تحقيق |
 |
APTGT200DU60TG | Microsemi | POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4 | تحقيق |
|
APTGT200DH120G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 | تحقيق |
|
APTGT200SK60T3AG | Microsemi | MOD IGBT 600V 290A SP3 | تحقيق |
|
APTGT200A60TG | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 | تحقيق |
 |
APTGT200TL60G | Microsemi | POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6 | تحقيق |
|
APTGT200DA60TG | Microsemi | IGBT 600V 290A 625W SP4 | تحقيق |
 |
APTGT200DU120G | Microsemi | POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6 | تحقيق |
|
APTGT200SK120G | Microsemi | IGBT 1200V 280A 890W SP6 | تحقيق |
|
APTGT200DA120G | Microsemi | IGBT 1200V 280A 890W SP6 | تحقيق |
 |
APTGT200DA60T3AG | Microsemi | MOD IGBT 600V 290A SP3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار