APTGT200DA170D3G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTGT200DA170D3G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTGT200DA170D3G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTGT200DA170D3G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTGT200DA170D3G
- رقم القطعة:
- APTGT200DA170D3G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 1700V 400A 1250W D3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 39886 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APTGT200DA170D3G.pdf2.APTGT200DA170D3G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1700V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.4V @ 15V, 200A |
| تجار الأجهزة حزمة: | D3 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 1250W |
| حزمة / كيس: | D-3 Module |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | No |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 17nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 400A 1250W Chassis Mount D3 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 5mA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 400A |
| ترتيب: | Single |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTGT200DA170D3G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT200A120D3G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 | تحقيق |
 |
APTGT200A602G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2 | تحقيق |
|
APTGT200DA120D3G | Microsemi | IGBT 1200V 300A 1050W D3 | تحقيق |
 |
APTGT200DU120G | Microsemi | POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6 | تحقيق |
|
APTGT200DH120G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 | تحقيق |
|
APTGT200H60G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 | تحقيق |
 |
APTGT200DU60TG | Microsemi | POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4 | تحقيق |
|
APTGT200DA120G | Microsemi | IGBT 1200V 280A 890W SP6 | تحقيق |
|
APTGT200A60TG | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 | تحقيق |
|
APTGT200DA60TG | Microsemi | IGBT 600V 290A 625W SP4 | تحقيق |
|
APTGT150TDU60PG | Microsemi | IGBT MODULE TRPL DUAL SRCE SP6P | تحقيق |
|
APTGT200DH60G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 | تحقيق |
 |
APTGT200A120G | Microsemi | POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6 | تحقيق |
 |
APTGT200DA60T3AG | Microsemi | MOD IGBT 600V 290A SP3 | تحقيق |
|
APTGT200SK120G | Microsemi | IGBT 1200V 280A 890W SP6 | تحقيق |
 |
APTGT150TL60G | Microsemi | IGBT 3-LEVEL INVERTER 600V SP6 | تحقيق |
|
APTGT200A170D3G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 | تحقيق |
|
APTGT200SK120D3G | Microsemi | IGBT 1200V 300A 1050W D3 | تحقيق |
 |
APTGT200A60T3AG | Microsemi | IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3 | تحقيق |
|
APTGT200H120G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة