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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APTGT200H120G
APTGT200H120G
Modello di prodotti:
APTGT200H120G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
35997 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.APTGT200H120G.pdf2.APTGT200H120G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.1V @ 15V, 200A
Contenitore dispositivo fornitore:SP6
Serie:-
Potenza - Max:890W
Contenitore / involucro:SP6
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:14nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
Descrizione dettagliata:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
Corrente - Cutoff collettore (max):350µA
Corrente - collettore (Ic) (max):280A
Configurazione:Full Bridge Inverter
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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