APTC80DA15T1G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTC80DA15T1G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTC80DA15T1G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTC80DA15T1G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTC80DA15T1G
- رقم القطعة:
- APTC80DA15T1G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 28A SP1
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43551 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APTC80DA15T1G.pdf2.APTC80DA15T1G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.9V @ 2mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP1 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 150 mOhm @ 14A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 277W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SP1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4507pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 180nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 800V 28A (Tc) 277W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTC80DA15T1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC60TAM21SCTPAG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P | تحقيق |
|
APTC60VDAM45T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | تحقيق |
 |
APTC60TAM35PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P | تحقيق |
|
APTC80DSK29T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | تحقيق |
|
APTC80H29T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 | تحقيق |
|
APTC80H29T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 | تحقيق |
|
APTC80AM75SCG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 | تحقيق |
|
APTC80A10SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4 | تحقيق |
|
APTC80SK15T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 28A SP1 | تحقيق |
|
APTC80DDA15T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | تحقيق |
|
APTC80DDA29T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | تحقيق |
|
APTC80H29SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 | تحقيق |
|
APTC60TDUM35PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P | تحقيق |
|
APTC60VDAM24T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | تحقيق |
|
APTC80H15T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 | تحقيق |
|
APTC80A15T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1 | تحقيق |
|
APTC80H15T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3 | تحقيق |
|
APTC80DSK15T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | تحقيق |
|
APTC80A15SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4 | تحقيق |
 |
APTC60TAM24TPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي