APTC80A10SCTG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTC80A10SCTG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTC80A10SCTG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTC80A10SCTG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTC80A10SCTG
- رقم القطعة:
- APTC80A10SCTG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51038 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APTC80A10SCTG.pdf2.APTC80A10SCTG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.9V @ 3mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP4 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 100 mOhm @ 21A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 416W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SP4 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6761pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 273nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 42A 416W Chassis Mount SP4 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 42A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTC80A10SCTG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC80A15SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4 | تحقيق |
|
APTC80H15T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 | تحقيق |
|
APTC80DDA29T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | تحقيق |
|
APTC80DDA15T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | تحقيق |
 |
APTC60SKM24T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 95A SP1 | تحقيق |
 |
APTC60HM83FT2G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE | تحقيق |
|
APTC80DSK29T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | تحقيق |
|
APTC60SKM35T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 72A SP1 | تحقيق |
|
APTC60VDAM24T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | تحقيق |
|
APTC80DA15T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 28A SP1 | تحقيق |
|
APTC60SKM24CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 95A SP1 | تحقيق |
|
APTC60VDAM45T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | تحقيق |
 |
APTC60TAM35PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P | تحقيق |
|
APTC80A15T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1 | تحقيق |
|
APTC80AM75SCG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 | تحقيق |
 |
APTC60TAM24TPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P | تحقيق |
|
APTC60TDUM35PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P | تحقيق |
|
APTC80DSK15T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | تحقيق |
|
APTC80H15T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3 | تحقيق |
|
APTC60TAM21SCTPAG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟