APTC80H29T1G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTC80H29T1G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTC80H29T1G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTC80H29T1G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTC80H29T1G
- رقم القطعة:
- APTC80H29T1G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 39269 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APTC80H29T1G.pdf2.APTC80H29T1G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.9V @ 1mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP1 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 156W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SP1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2254pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 90nC @ 10V |
| نوع FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP1 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 15A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTC80H29T1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC90AM60SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | تحقيق |
|
APTC90DAM60CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | تحقيق |
|
APTC90DDA12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | تحقيق |
|
APTC80DSK29T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | تحقيق |
|
APTC80H15T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 | تحقيق |
|
APTC80DDA15T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | تحقيق |
|
APTC80H15T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3 | تحقيق |
|
APTC80A15T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1 | تحقيق |
|
APTC90AM60T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | تحقيق |
 |
APTC80TDU15PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P | تحقيق |
|
APTC80H29SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 | تحقيق |
|
APTC80TA15PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P | تحقيق |
|
APTC80DSK15T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 | تحقيق |
|
APTC80DDA29T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 | تحقيق |
|
APTC80H29T3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 | تحقيق |
|
APTC80SK15T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 28A SP1 | تحقيق |
 |
APTC90DAM60T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | تحقيق |
|
APTC80DA15T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 28A SP1 | تحقيق |
|
APTC80AM75SCG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 | تحقيق |
|
APTC90AM602G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي