1N5551C.TR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 1N5551C.TR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 1N5551C.TR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 1N5551C.TR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
1N5551C.TR
- رقم القطعة:
- 1N5551C.TR
- الصانع:
- Semtech
- وصف:
- DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
- كمية المخزون:
- 57626 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1N5551C.TR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 3A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 400V |
| تجار الأجهزة حزمة: | Axial |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 2µs |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Axial |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | Not Applicable |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 400V 5A Through Hole Axial |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1µA @ 400V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 5A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 92pF @ 5V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N5551C.TR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5552C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL | تحقيق |
 |
1N5552 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
1N5546B | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO35 | تحقيق |
 |
1N5553US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF | تحقيق |
 |
1N5553C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL | تحقيق |
|
1N5551US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | تحقيق |
 |
1N5545BUR-1 | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
 |
1N5550 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
1N5553 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL | تحقيق |
|
1N5551US | Semtech | DIODE GEN PURP 400V 5A | تحقيق |
|
1N5551 | Semtech | DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL | تحقيق |
|
1N5545B | Microsemi | DIODE ZENER 30V 500MW DO35 | تحقيق |
|
1N5552 | Semtech | DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL | تحقيق |
|
1N5544BUR-1 | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
 |
1N5551 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | تحقيق |
|
1N5550US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A D5B | تحقيق |
|
1N5550C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | تحقيق |
|
1N5546BUR-1 | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
|
1N5553 | Semtech | DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL | تحقيق |
 |
1N5552US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM