1N5551C.TR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 1N5551C.TR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 1N5551C.TR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 1N5551C.TR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
1N5551C.TR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 1N5551C.TR
- ผู้ผลิต:
- Semtech
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
- ปริมาณสต็อค:
- 57626 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1N5551C.TR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1V @ 3A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 400V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Axial |
| ความเร็ว: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 2µs |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | Not Applicable |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Standard 400V 5A Through Hole Axial |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1µA @ 400V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 5A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | 92pF @ 5V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 1N5551C.TR
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5552C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL | การสอบสวน |
 |
1N5552 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | การสอบสวน |
 |
1N5546B | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO35 | การสอบสวน |
 |
1N5553US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF | การสอบสวน |
 |
1N5553C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL | การสอบสวน |
|
1N5551US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | การสอบสวน |
 |
1N5545BUR-1 | Microsemi | ZENER DIODE | การสอบสวน |
 |
1N5550 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | การสอบสวน |
 |
1N5553 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL | การสอบสวน |
|
1N5551US | Semtech | DIODE GEN PURP 400V 5A | การสอบสวน |
|
1N5551 | Semtech | DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL | การสอบสวน |
|
1N5545B | Microsemi | DIODE ZENER 30V 500MW DO35 | การสอบสวน |
|
1N5552 | Semtech | DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL | การสอบสวน |
|
1N5544BUR-1 | Microsemi | ZENER DIODE | การสอบสวน |
 |
1N5551 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | การสอบสวน |
|
1N5550US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A D5B | การสอบสวน |
|
1N5550C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | การสอบสวน |
|
1N5546BUR-1 | Microsemi | ZENER DIODE | การสอบสวน |
|
1N5553 | Semtech | DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL | การสอบสวน |
 |
1N5552US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย