1N5551US متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل 1N5551US، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل 1N5551US عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء 1N5551US مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
1N5551US
- رقم القطعة:
- 1N5551US
- الصانع:
- Semtech
- وصف:
- DIODE GEN PURP 400V 5A
- كمية المخزون:
- 37179 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1N5551US.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 3A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 400V |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 2µs |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SQ-MELF |
| اسماء اخرى: | 1N5551USS |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 400V 5A Surface Mount |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1µA @ 400V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 5A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 92pF @ 5V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل1N5551US
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5545B | Microsemi | DIODE ZENER 30V 500MW DO35 | تحقيق |
 |
1N5552 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
1N5553C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
1N5550US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A D5B | تحقيق |
|
1N5553 | Semtech | DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL | تحقيق |
 |
1N5553 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL | تحقيق |
|
1N5546B | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO35 | تحقيق |
|
1N5553US | Semtech | DIODE GEN PURP 800V 5A | تحقيق |
 |
1N5550 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | تحقيق |
|
1N5552 | Semtech | DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL | تحقيق |
 |
1N5552US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | تحقيق |
|
1N5553US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF | تحقيق |
|
1N5551C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
1N5546BUR-1 | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
 |
1N5552C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL | تحقيق |
|
1N5550C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | تحقيق |
|
1N5551 | Semtech | DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL | تحقيق |
|
1N5545BUR-1 | Microsemi | ZENER DIODE | تحقيق |
|
1N5551US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | تحقيق |
 |
1N5551 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي