SIA485DJ-T1-GE3
SIA485DJ-T1-GE3
Số Phần:
SIA485DJ-T1-GE3
nhà chế tạo:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Sự miêu tả:
MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A
Số lượng cổ phiếu:
59753 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
SIA485DJ-T1-GE3.pdf

Giới thiệu

SIA485DJ-T1-GE3 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho SIA485DJ-T1-GE3, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SIA485DJ-T1-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SIA485DJ-T1-GE3 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PowerPAK® SC-70-6 Single
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.6 Ohm @ 500mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):15.6W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:PowerPAK® SC-70-6
Vài cái tên khác:SIA485DJ-T1-GE3-ND
SIA485DJ-T1-GE3TR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:22 Weeks
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:155pF @ 75V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:6.3nC @ 10V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):150V
miêu tả cụ thể:P-Channel 150V 1.6A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận