SIA485DJ-T1-GE3
SIA485DJ-T1-GE3
Modello di prodotti:
SIA485DJ-T1-GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A
Quantità di magazzino:
59753 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
SIA485DJ-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2.6 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):15.6W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® SC-70-6
Altri nomi:SIA485DJ-T1-GE3-ND
SIA485DJ-T1-GE3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:155pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.3nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione dettagliata:P-Channel 150V 1.6A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

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