SI4562DY-T1-E3
Số Phần:
SI4562DY-T1-E3
nhà chế tạo:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Sự miêu tả:
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Tình trạng không có chì:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng cổ phiếu:
50176 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
SI4562DY-T1-E3.pdf

Giới thiệu

SI4562DY-T1-E3 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho SI4562DY-T1-E3, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI4562DY-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua SI4562DY-T1-E3 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1.6V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SO
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Power - Max:2W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vài cái tên khác:SI4562DY-T1-E3-ND
SI4562DY-T1-E3TR
SI4562DYT1E3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 4.5V
Loại FET:N and P-Channel
FET Feature:Logic Level Gate
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
miêu tả cụ thể:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2W Surface Mount 8-SO
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:-
Số phần cơ sở:SI4562
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận