HN1C03F-B(TE85L,F)
HN1C03F-B(TE85L,F)
Số Phần:
HN1C03F-B(TE85L,F)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor and Storage
Sự miêu tả:
TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
Tình trạng không có chì:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng cổ phiếu:
31751 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
HN1C03F-B(TE85L,F).pdf

Giới thiệu

HN1C03F-B(TE85L,F) hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho HN1C03F-B(TE85L,F), chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HN1C03F-B(TE85L,F) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua HN1C03F-B(TE85L,F) với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):20V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 3mA, 30mA
Loại bóng bán dẫn:2 NPN (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SM6
Loạt:-
Power - Max:300mW
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:SC-74, SOT-457
Vài cái tên khác:HN1C03F-B(TE85LF)CT
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tần số - Transition:30MHz
miêu tả cụ thể:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 300mW Surface Mount SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:350 @ 4mA, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):300mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận