FF600R12IE4VBOSA1 hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho FF600R12IE4VBOSA1, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FF600R12IE4VBOSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FF600R12IE4VBOSA1 với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
FF600R12IE4VBOSA1
- Số Phần:
- FF600R12IE4VBOSA1
- nhà chế tạo:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Sự miêu tả:
- IGBT MODULE VCES 600V 600A
- Số lượng cổ phiếu:
- 33765 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- FF600R12IE4VBOSA1.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
| VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic: | 2.05V @ 15V, 600A |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | Module |
| Loạt: | - |
| Power - Max: | 3350W |
| Gói / Case: | Module |
| Vài cái tên khác: | FF600R12IE4V FF600R12IE4V-ND SP001124858 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 150°C |
| NTC Thermistor: | Yes |
| gắn Loại: | Chassis Mount |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 36 Weeks |
| Input Điện dung (Cies) @ VCE: | 37nF @ 25V |
| Đầu vào: | Standard |
| Loại IGBT: | Trench Field Stop |
| miêu tả cụ thể: | IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200V 600A 3350W Chassis Mount Module |
| Hiện tại - Collector Cutoff (Max): | 5mA |
| Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | 600A |
| Cấu hình: | 2 Independent |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho FF600R12IE4VBOSA1
Latest Tin tức
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới
- Khối lượng chip trưởng thành cục bộ, công suất sản xuất bộ nhớ flash samsung nand gần tải
- Vishay ra mắt bao bì Miniled độ sáng cao Đèn LED nhỏ màu xanh và màu xanh lá cây tinh khiết
- Ansonmei đã đưa ra một cảm biến vị trí cảm ứng cho thị trường công nghiệp và giao thông
- Ruisa bắt đầu nhà máy cũ để tăng thiết bị điện, trận động đất ảnh hưởng đến sản lượng DRAM
- Microchip cho phép năng lực sản xuất của TSMC và tăng giá
- Ruisa đã ra mắt mục RA0 Sê -ri mới
- Melexis ra mắt một con chip chuyển đổi cuộn cảm đầy đủ
- X-Fab giới thiệu công nghệ chiếu sáng cảm biến hình ảnh để tăng cường hiệu suất cảm biến CMOS
- Nhà máy chip lớn bị ảnh hưởng bởi trận động đất: TSMC ngừng hoạt động khẩn cấp, làm trầm trọng thêm nguồn cung GPU trong nguồn cung ngắn?
- Bộ nhớ flash NAND tiếp tục, MCU Destocking bottom là đúng
- Dưới cửa hàng AI Air, hai người khổng lồ chip chính là "không mạnh": phá vỡ tiền để phá vỡ trò chơi, đặt cược vào năm 2025 các trận chiến đội