CSD18503Q5A
Số Phần:
CSD18503Q5A
nhà chế tạo:
TI
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 40V 8SON
Tình trạng không có chì:
Có chứa chì / RoHS tuân thủ
Số lượng cổ phiếu:
46380 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Thời gian dẫn:
4-8 weeks
Bảng dữliệu:
CSD18503Q5A.pdf

Giới thiệu

CSD18503Q5A hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho CSD18503Q5A, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho CSD18503Q5A qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua CSD18503Q5A với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Original, tested
Nước xuất xứ Contact us
Mã đánh dấu Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-VSONP (5x6)
Loạt:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:4.3 mOhm @ 22A, 10V
Điện cực phân tán (Max):3.1W (Ta), 120W (Tc)
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:296-30571-1
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:35 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2640pF @ 20V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
miêu tả cụ thể:N-Channel 40V 19A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:19A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận