CIGW252010GL1R5MNE hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho CIGW252010GL1R5MNE, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho CIGW252010GL1R5MNE qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua CIGW252010GL1R5MNE với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
CIGW252010GL1R5MNE
- Số Phần:
- CIGW252010GL1R5MNE
- nhà chế tạo:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Sự miêu tả:
- FIXED IND 1.5UH 3.2A 54MOHM SMD
- Tình trạng không có chì:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng cổ phiếu:
- 30531 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- CIGW252010GL1R5MNE.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Kiểu: | Wirewound |
| Lòng khoan dung: | ±20% |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | 1008 (2520 Metric) |
| Size / Kích thước: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| che chắn: | Unshielded |
| Loạt: | CIGW |
| xếp hạng: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | 1008 (2520 Metric) |
| Vài cái tên khác: | 1276-6881-2 CIGW252010GL1R5MNE-ND Q10196258 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 125°C |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Vật liệu - Core: | Metal Composite |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 18 Weeks |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tần số cảm - Kiểm tra: | 1MHz |
| cảm: | 1.5µH |
| Chiều cao - Ngồi (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Tần số - Tự Resonant: | - |
| Tính năng: | - |
| miêu tả cụ thể: | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 3.2A 54 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 54 mOhm Max |
| Đánh giá hiện tại: | 3.2A |
| Hiện tại - Saturation: | 3.1A |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho CIGW252010GL1R5MNE
Latest Tin tức
- Năng lực sản xuất HBM bị loại trừ, bộ nhớ DRAM có thể bị thiếu hụt trong nửa cuối năm
- Những người sáng lập tường sẽ kết thúc, HBM hoặc khiến DRAM tăng trở lại
- Nhu cầu mở rộng điện thoại di động và máy tính AI, cải tiến ngành sản xuất bán dẫn toàn cầu
- Hiểu nhu cầu của ADA và hệ thống giám sát cabin cho các cảm biến hình ảnh bảo mật mạng
- Có tin đồn rằng Samsung và SK Hynix đã dừng DDR3 và báo giá quảng cáo tăng 20 %
- Melexis đã phát hành MLX90427: Kiểm soát dòng cho sự lựa chọn mới, an toàn, hiệu quả và tiết kiệm
- Báo cáo tài chính của NXP và Ansonmei được công bố và giá của giá đồng được truyền đến ngành công nghiệp IC
- Moels Micro Electronics đã thành lập một văn phòng mới ở Đài Loan, Trung Quốc để mở rộng lãnh thổ kinh doanh
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới
- Báo cáo tài chính quý đầu tiên của bộ bán dẫn SEF (ST) giảm và nhu cầu về ô tô đã làm chậm
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới
- Khối lượng chip trưởng thành cục bộ, công suất sản xuất bộ nhớ flash samsung nand gần tải