Az CIGW252010GL1R5MNE most elérhető!Az LYNTEAM technológia az CIGW252010GL1R5MNE állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetCIGW252010GL1R5MNEe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon CIGW252010GL1R5MNE LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
CIGW252010GL1R5MNE
- Cikkszám:
- CIGW252010GL1R5MNE
- Leírás:
- FIXED IND 1.5UH 3.2A 54MOHM SMD
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 30531 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- CIGW252010GL1R5MNE.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| típus: | Wirewound |
| Tolerancia: | ±20% |
| Szállító eszközcsomag: | 1008 (2520 Metric) |
| Méret / dimenzió: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Árnyékolás: | Unshielded |
| Sorozat: | CIGW |
| Értékelések: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 1008 (2520 Metric) |
| Más nevek: | 1276-6881-2 CIGW252010GL1R5MNE-ND Q10196258 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 125°C |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Anyag - mag: | Metal Composite |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 18 Weeks |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktivitás Frekvencia - Teszt: | 1MHz |
| induktivitás: | 1.5µH |
| Magasság - Ülés (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Frekvencia - önrezonáns: | - |
| Jellemzők: | - |
| Részletes leírás: | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 3.2A 54 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC ellenállás (DCR): | 54 mOhm Max |
| Jelenlegi értékelés: | 3.2A |
| Aktuális - telítettség: | 3.1A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az CIGW252010GL1R5MNE-hoz
Latest News
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos
- Az NXP és az Ansonmei pénzügyi jelentése bejelentette, és a rézárak árát továbbítják az IC -ipar számára
- A Moels Micro Electronics új irodákat hozott létre Tajvanon, Kínában, hogy kibővítse az üzleti területet
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- A SEF Semiconductor (ST) első negyedévi pénzügyi jelentése csökken, és az autók iránti kereslet lelassult
- A Texas Instruments teljesítményét még meg kell növelni, és a két tárolóüzem új flash memória termékeket nyom be
- Helyi érett chipmennyiség, Samsung Nand flash memória előállítási kapacitása a terhelés közelében