1N4757 G hiện có sẵn!Công nghệ LYNTEAM là nhà phân phối stocking cho 1N4757 G, chúng tôi có cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài.Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 1N4757 G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 1N4757 G với LYNTEAM, tiết kiệm tiền và thời gian của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]
1N4757 G
- Số Phần:
- 1N4757 G
- nhà chế tạo:
- Microsemi
- Sự miêu tả:
- DIODE ZENER 51V 1W DO204AL
- Tình trạng không có chì:
- Chứa chì / RoHS không tuân thủ
- Số lượng cổ phiếu:
- 38030 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days
- Thời gian dẫn:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- 1N4757 G.pdf
Giới thiệu
Thông số kỹ thuật
| Điều kiện | New & Original, tested |
|---|---|
| Nước xuất xứ | Contact us |
| Mã đánh dấu | Send by email |
| Điện áp - Cách ly: | 95 Ohm |
| Voltage - Breakdown: | DO-204AL (DO-41) |
| Loạt: | - |
| Tình trạng RoHS: | Bulk |
| Power - Max: | 1W |
| sự phân cực: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Nhiệt độ hoạt động: | -65°C ~ 175°C |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Số phần của nhà sản xuất: | 1N4757 G |
| Trở kháng (Max) (Zzt): | 51V |
| Mô tả mở rộng: | Zener Diode 1W ±10% Through Hole DO-204AL (DO-41) |
| ESR (tương đương Series kháng): | ±10% |
| Cấu hình diode: | 5µA @ 38.8V |
| Sự miêu tả: | DIODE ZENER 51V 1W DO204AL |
| Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR: | 1.2V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho 1N4757 G
Latest Tin tức
- Báo cáo tài chính quý đầu tiên của bộ bán dẫn SEF (ST) giảm và nhu cầu về ô tô đã làm chậm
- Hiệu suất của Texas Cụ vẫn còn được tăng cường và hai nhà máy lưu trữ đẩy các sản phẩm bộ nhớ flash mới
- Khối lượng chip trưởng thành cục bộ, công suất sản xuất bộ nhớ flash samsung nand gần tải
- Vishay ra mắt bao bì Miniled độ sáng cao Đèn LED nhỏ màu xanh và màu xanh lá cây tinh khiết
- Ansonmei đã đưa ra một cảm biến vị trí cảm ứng cho thị trường công nghiệp và giao thông
- Ruisa bắt đầu nhà máy cũ để tăng thiết bị điện, trận động đất ảnh hưởng đến sản lượng DRAM
- Microchip cho phép năng lực sản xuất của TSMC và tăng giá
- Ruisa đã ra mắt mục RA0 Sê -ri mới
- Melexis ra mắt một con chip chuyển đổi cuộn cảm đầy đủ
- X-Fab giới thiệu công nghệ chiếu sáng cảm biến hình ảnh để tăng cường hiệu suất cảm biến CMOS
- Nhà máy chip lớn bị ảnh hưởng bởi trận động đất: TSMC ngừng hoạt động khẩn cấp, làm trầm trọng thêm nguồn cung GPU trong nguồn cung ngắn?
- Bộ nhớ flash NAND tiếp tục, MCU Destocking bottom là đúng