SSR1N60BTM現在可以使用！LYNTEAM技術是SSR1N60BTM的庫存分配器，我們擁有立即運輸的庫存，也可用於很長的時間。請通過電子郵件向我們發送您的SSR1N60BTM購買計劃，我們將根據您的計劃為您提供最優惠的價格。
用LYNTEAM購買SSR1N60BTM，省錢和時間。
我們的電子郵件：[email protected]
SSR1N60BTM
- 型號:
- SSR1N60BTM
- 描述:
- MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
- 無鉛狀態:
- 無鉛/符合RoHS
- 庫存數量:
- 59710 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
- 交貨時間:
- 4-8 weeks
- 數據表:
- SSR1N60BTM.pdf
簡單介紹
產品特性
| 狀況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原產地 | Contact us |
| 標記代碼 | Send by email |
| VGS（TH）（最大）@標識: | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | D-Pak |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | 12 Ohm @ 450mA, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds: | 215pF @ 25V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 7.7nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）: | 10V |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | 600V |
| 詳細說明: | N-Channel 600V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | 900mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
SSR1N60BTM的相似型號
最新資訊
- Qorvo 推出业界出众的高增益 5G mMIMO 预驱动器
- 模拟周期库存触底、AI带动闪存需求延续
- 美光拟日本建厂、NAND闪存高价或维持
- ADI业绩降低、铜箔基板传起涨、存储原厂增产保守
- 汽车智能化浪潮来袭，艾迈斯欧司朗助力速腾聚创发布MX激光雷达
- HBM产能排挤，DRAM内存下半年或供不应求
- 晶圆代工去库存将完结、HBM或导致DRAM再涨
- AI手机与PC扩展需求、全球半导体制造业改善
- 了解 ADAS 和车舱监控系统对网络安全图像传感器的需求
- 传三星与SK海力士停供DDR3，推升报价直涨两成
- Melexis全新发布MLX90427：线控转向新选择，安全、高效又经济
- 恩智浦与安森美财报公布、铜价上涨传导至IC行业