SIA429DJT-T1-GE3
SIA429DJT-T1-GE3
型號:
SIA429DJT-T1-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
53654 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
SIA429DJT-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:1V @ 250µA
Vgs(最大):±8V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PowerPAK® SC-70-6 Single
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:20.5 mOhm @ 6A, 4.5V
功率耗散(最大):3.5W (Ta), 19W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:PowerPAK® SC-70-6
其他名稱:SIA429DJT-T1-GE3CT
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1750pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:62nC @ 8V
FET型:P-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):1.5V, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
詳細說明:P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
電流 - 25°C連續排水(Id):12A (Tc)
Email:[email protected]

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