SI4621DY-T1-E3
型號:
SI4621DY-T1-E3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
24567 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
SI4621DY-T1-E3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
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VGS(TH)(最大)@標識:3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:8-SO
系列:LITTLE FOOT®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:54 mOhm @ 5A, 10V
功率耗散(最大):2W (Ta), 3.1W (Tc)
封装:Original-Reel®
封裝/箱體:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名稱:SI4621DY-T1-E3DKR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:450pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:13nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特點:Schottky Diode (Isolated)
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
詳細說明:P-Channel 20V 6.2A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SO
電流 - 25°C連續排水(Id):6.2A (Tc)
Email:[email protected]

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