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狀況 | New & Original, tested |
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原產地 | Contact us |
標記代碼 | Send by email |
VGS(TH)(最大)@標識: | 1.2V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±12V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | Micro8™ |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 20 mOhm @ 7A, 4.5V |
功率耗散(最大): | 1.8W (Ta) |
封装: | Original-Reel® |
封裝/箱體: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
其他名稱: | IRF7663TRPBFDKR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 2 (1 Year) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2520pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 45nC @ 5V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 2.5V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
詳細說明: | P-Channel 20V 8.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™ |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 8.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |