IRF6604TR1
IRF6604TR1
型號:
IRF6604TR1
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
54347 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
IRF6604TR1.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
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VGS(TH)(最大)@標識:2.1V @ 250µA
Vgs(最大):±12V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:DIRECTFET™ MQ
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:11.5 mOhm @ 12A, 7V
功率耗散(最大):2.3W (Ta), 42W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:DirectFET™ Isometric MQ
其他名稱:SP001525412
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):3 (168 Hours)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:2270pF @ 15V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:26nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 7V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
詳細說明:N-Channel 30V 12A (Ta), 49A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ
電流 - 25°C連續排水(Id):12A (Ta), 49A (Tc)
Email:[email protected]

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