FQD12N20LTM-F085P
型號:
FQD12N20LTM-F085P
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
NMOS DPAK 200V 280 MOHM
庫存數量:
29304 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
FQD12N20LTM-F085P.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:2V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-252, (D-Pak)
系列:QFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:280 mOhm @ 4.5A, 10V
功率耗散(最大):2.5W (Ta), 55W (Tc)
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
無鉛狀態:Lead free
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1080pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:21nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):200V
詳細說明:N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
電流 - 25°C連續排水(Id):9A (Tc)
Email:[email protected]

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