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狀況 | New & Original, tested |
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原產地 | Contact us |
標記代碼 | Send by email |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 120V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 1V @ 50mA, 500mA |
晶體管類型: | PNP |
供應商設備封裝: | LSTM |
系列: | - |
功率 - 最大: | 900mW |
封装: | Bulk |
封裝/箱體: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
其他名稱: | 2SA965-YSWFF(M 2SA965YSWFFM |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換: | 120MHz |
詳細說明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 80 @ 100mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 800mA |
Email: | [email protected] |