VLS201612HBX-6R8M-1 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, VLS201612HBX-6R8M-1 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize VLS201612HBX-6R8M-1 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
VLS201612HBX-6R8M-1 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
VLS201612HBX-6R8M-1
- Parça Numarası:
- VLS201612HBX-6R8M-1
- Üretici firma:
- TDK Corporation
- Açıklama:
- FIXED IND 6.8UH 910MA 468 MOHM
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 25598 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- VLS201612HBX-6R8M-1.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| tip: | Wirewound |
| Hata payı: | ±20% |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 0806 (2016 Metric) |
| Boyut / Boyut: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| perdeleme: | Shielded |
| Dizi: | VLS-HBX-1 |
| Puanlar: | - |
| Q 'Frekans: | - |
| paketleme: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kutu: | 0806 (2016 Metric) |
| Diğer isimler: | 445-173015-1 |
| Çalışma sıcaklığı: | -40°C ~ 105°C |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Malzeme - Çekirdek: | Metal |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 10 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Endüktans Frekansı - Test: | 1MHz |
| İndüktans: | 6.8µH |
| Yükseklik - Oturmalı (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| Frekans - Rezonans Öz: | - |
| Detaylı Açıklama: | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 910mA 468 mOhm Max 0806 (2016 Metric) |
| DC Direnç (DCR): | 468 mOhm Max |
| Güncel Beğeni: | 910mA |
| Güncel - Doygunluk: | 870mA |
| Email: | [email protected] |
VLS201612HBX-6R8M-1 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- Yerel olgun çip hacmi, Samsung Nand yük yakınında flaş bellek üretim kapasitesi
- Vishay, mayınlı ambalajı başlattı Yüksek parlaklık küçük mavi ve saf yeşil led
- Ansonmei, Endüstriyel ve Ulaşım Pazarı için bir endüktif konum sensörü başlattı
- Ruisa, güç cihazını artırmak için eski fabrikayı başlatır, deprem DRAM çıkışını hafifçe etkiler
- Microchip, TSMC'nin üretim kapasitesini sağlar ve fiyat artışlarını artırır
- Ruisa yeni RA0 Serisi Ultra -Low Power Giriş -Level MCU'yu başlattı
- Melexis tam entegre bir indüktör anahtarı çipini başlattı
- X-FAB, CMOS sensörü performansını artırmak için görüntü sensörü geri aydınlatma teknolojisini tanıttı
- Büyük çip fabrikası depremden etkilendi: TSMC acilen çalışmayı bıraktı, GPU arzını kısa sürede şiddetlendirdi mi?
- NAND Flash Bellek devam ediyor, MCU Destacturing Dip Doğru
- AI Air Outlet'in altında, iki büyük çip devi "güçlü değil": Oyunu kırmak için parayı parçalamak, 2025 Takım Savaşları'nda bahis