SSM3J108TU(TE85L) şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, SSM3J108TU(TE85L) için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize SSM3J108TU(TE85L) için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
SSM3J108TU(TE85L) LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
SSM3J108TU(TE85L)
- Parça Numarası:
- SSM3J108TU(TE85L)
- Üretici firma:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Açıklama:
- MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 50154 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- 1.SSM3J108TU(TE85L).pdf2.SSM3J108TU(TE85L).pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1V @ 1mA |
| Vgs (Maks.): | ±8V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | UFM |
| Dizi: | U-MOSIII |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 158 mOhm @ 800mA, 4V |
| Güç Tüketimi (Max): | 500mW (Ta) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 3-SMD, Flat Leads |
| Çalışma sıcaklığı: | 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 10V |
| FET Tipi: | P-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 1.8V, 4V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 20V |
| Detaylı Açıklama: | P-Channel 20V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 1.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
SSM3J108TU(TE85L) için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- ADI performansı azaldı, bakır folyo substratları yükseldi, orijinal fabrikanın depolanması üretim muhafazakar
- Arabadaki zeka dalgası geliyor ve Aimus Oslang, Sagita Juguang'ın MX LIDAR'ı serbest bırakmasına yardımcı oldu
- HBM üretim kapasitesi hariç tutulur, DRAM belleği yılın ikinci yarısında yetersiz olabilir
- Duvar kurucuları bitecek, HBM veya DRAM'ın tekrar yükselmesine neden olacak
- AI cep telefonu ve PC genişleme talebi, küresel yarı iletken üretim endüstrisinin iyileştirilmesi
- Ağ Güvenliği Görüntü Sensörleri için ADAS ve Kabin İzleme Sistemlerinin ihtiyaçlarını anlayın
- Samsung ve SK Hynix'in DDR3'ü durdurduğu ve promosyon alıntısının % 20 arttığı söylentileri var
- Melexis MLX90427: Yeni Seçim, Güvenli, Verimli ve Ekonomik Çizgi Kontrolü yayınladı
- NXP ve Ansonmei'nin finansal raporu duyuruldu ve bakır fiyatlarının fiyatı IC endüstrisine aktarıldı
- Moels Micro Electronics, Tayvan, Çin'de iş bölgesini genişletmek için yeni bir ofis kurdu
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı