SISS04DN-T1-GE3 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, SISS04DN-T1-GE3 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize SISS04DN-T1-GE3 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
SISS04DN-T1-GE3 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
SISS04DN-T1-GE3
- Parça Numarası:
- SISS04DN-T1-GE3
- Üretici firma:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Açıklama:
- MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 21914 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- SISS04DN-T1-GE3.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Maks.): | +16V, -12V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | PowerPAK® 1212-8S |
| Dizi: | TrenchFET® Gen IV |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 1.2 mOhm @ 15A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| paketleme: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kutu: | PowerPAK® 1212-8S |
| Diğer isimler: | SISS04DN-T1-GE3CT |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 32 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4460pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 93nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 30V 50.5A (Ta), 80A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 50.5A (Ta), 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
SISS04DN-T1-GE3 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- ADI performansı azaldı, bakır folyo substratları yükseldi, orijinal fabrikanın depolanması üretim muhafazakar
- Arabadaki zeka dalgası geliyor ve Aimus Oslang, Sagita Juguang'ın MX LIDAR'ı serbest bırakmasına yardımcı oldu
- HBM üretim kapasitesi hariç tutulur, DRAM belleği yılın ikinci yarısında yetersiz olabilir
- Duvar kurucuları bitecek, HBM veya DRAM'ın tekrar yükselmesine neden olacak
- AI cep telefonu ve PC genişleme talebi, küresel yarı iletken üretim endüstrisinin iyileştirilmesi
- Ağ Güvenliği Görüntü Sensörleri için ADAS ve Kabin İzleme Sistemlerinin ihtiyaçlarını anlayın
- Samsung ve SK Hynix'in DDR3'ü durdurduğu ve promosyon alıntısının % 20 arttığı söylentileri var
- Melexis MLX90427: Yeni Seçim, Güvenli, Verimli ve Ekonomik Çizgi Kontrolü yayınladı
- NXP ve Ansonmei'nin finansal raporu duyuruldu ve bakır fiyatlarının fiyatı IC endüstrisine aktarıldı
- Moels Micro Electronics, Tayvan, Çin'de iş bölgesini genişletmek için yeni bir ofis kurdu
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı