SI5935CDC-T1-GE3
SI5935CDC-T1-GE3
Parça Numarası:
SI5935CDC-T1-GE3
Üretici firma:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Açıklama:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Kurşunsuz Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Stok miktarı:
38543 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days
Teslim süresi:
4-8 weeks
Veri Sayfası:
SI5935CDC-T1-GE3.pdf

Giriş

SI5935CDC-T1-GE3 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, SI5935CDC-T1-GE3 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize SI5935CDC-T1-GE3 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
SI5935CDC-T1-GE3 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]

Özellikler

Şart New & Original, tested
Menşei ülke Contact us
İşaretleme kodu Send by email
Id @ Vgs (th) (Max):1V @ 250µA
Tedarikçi Cihaz Paketi:1206-8 ChipFET™
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):100 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Güç - Max:3.1W
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:8-SMD, Flat Lead
Diğer isimler:SI5935CDC-T1-GE3TR
SI5935CDCT1GE3
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:455pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:11nC @ 5V
FET Tipi:2 P-Channel (Dual)
FET Özelliği:Standard
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):20V
Detaylı Açıklama:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):4A
Temel Parça Numarası:SI5935
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar