SI5513DC-T1-GE3 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, SI5513DC-T1-GE3 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize SI5513DC-T1-GE3 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
SI5513DC-T1-GE3 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
SI5513DC-T1-GE3
- Parça Numarası:
- SI5513DC-T1-GE3
- Üretici firma:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Açıklama:
- MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 30546 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- SI5513DC-T1-GE3.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1.5V @ 250µA |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 1206-8 ChipFET™ |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Güç - Max: | 1.1W |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-SMD, Flat Lead |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | N and P-Channel |
| FET Özelliği: | Logic Level Gate |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 20V |
| Detaylı Açıklama: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.1A, 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 3.1A, 2.1A |
| Temel Parça Numarası: | SI5513 |
| Email: | [email protected] |
SI5513DC-T1-GE3 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- ADI performansı azaldı, bakır folyo substratları yükseldi, orijinal fabrikanın depolanması üretim muhafazakar
- Arabadaki zeka dalgası geliyor ve Aimus Oslang, Sagita Juguang'ın MX LIDAR'ı serbest bırakmasına yardımcı oldu
- HBM üretim kapasitesi hariç tutulur, DRAM belleği yılın ikinci yarısında yetersiz olabilir
- Duvar kurucuları bitecek, HBM veya DRAM'ın tekrar yükselmesine neden olacak
- AI cep telefonu ve PC genişleme talebi, küresel yarı iletken üretim endüstrisinin iyileştirilmesi
- Ağ Güvenliği Görüntü Sensörleri için ADAS ve Kabin İzleme Sistemlerinin ihtiyaçlarını anlayın
- Samsung ve SK Hynix'in DDR3'ü durdurduğu ve promosyon alıntısının % 20 arttığı söylentileri var
- Melexis MLX90427: Yeni Seçim, Güvenli, Verimli ve Ekonomik Çizgi Kontrolü yayınladı
- NXP ve Ansonmei'nin finansal raporu duyuruldu ve bakır fiyatlarının fiyatı IC endüstrisine aktarıldı
- Moels Micro Electronics, Tayvan, Çin'de iş bölgesini genişletmek için yeni bir ofis kurdu
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı