SI1489EDH-T1-GE3
Parça Numarası:
SI1489EDH-T1-GE3
Üretici firma:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Açıklama:
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
Kurşunsuz Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Stok miktarı:
45250 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days
Teslim süresi:
4-8 weeks
Veri Sayfası:
SI1489EDH-T1-GE3.pdf

Giriş

SI1489EDH-T1-GE3 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, SI1489EDH-T1-GE3 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize SI1489EDH-T1-GE3 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
SI1489EDH-T1-GE3 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]

Özellikler

Şart New & Original, tested
Menşei ülke Contact us
İşaretleme kodu Send by email
Id @ Vgs (th) (Max):700mV @ 250µA
Vgs (Maks.):±5V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:SOT-363
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):48 mOhm @ 3A, 4.5V
Güç Tüketimi (Max):2.8W (Tc)
paketleme:Cut Tape (CT)
Paket / Kutu:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Diğer isimler:SI1489EDH-T1-GE3CT
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:16nC @ 4.5V
FET Tipi:P-Channel
FET Özelliği:-
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):1.2V, 4.5V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):8V
Detaylı Açıklama:P-Channel 8V 2A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SOT-363
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):2A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar