RJH60D5BDPQ-E0#T2 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, RJH60D5BDPQ-E0#T2 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize RJH60D5BDPQ-E0#T2 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
RJH60D5BDPQ-E0#T2 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
RJH60D5BDPQ-E0#T2
- Parça Numarası:
- RJH60D5BDPQ-E0#T2
- Üretici firma:
- Renesas Electronics America
- Açıklama:
- IGBT 600V 75A 200W TO-247
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 46188 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- RJH60D5BDPQ-E0#T2.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Gerilim - Kollektör Verici Dağılımı (Max): | 600V |
| Vgë, Ic @ (on) Vce (Max): | 2.2V @ 15V, 37A |
| deney Durumu: | 300V, 37A, 5 Ohm, 15V |
| Td (açma / kapama) @ 25 ° C: | 50ns/130ns |
| Enerji geçiş: | 400µJ (on), 810µJ (off) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | TO-247 |
| Dizi: | - |
| Ters Toparlanma Süresi (TAR): | 25ns |
| Güç - Max: | 200W |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | TO-247-3 |
| Diğer isimler: | RJH60D5BDPQE0T2 |
| Çalışma sıcaklığı: | 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş tipi: | Standard |
| IGBT Tipi: | Trench |
| kapı Şarj: | 78nC |
| Detaylı Açıklama: | IGBT Trench 600V 75A 200W Through Hole TO-247 |
| Güncel - Collector (Ic) (Max): | 75A |
| Temel Parça Numarası: | RJH60D |
| Email: | [email protected] |
RJH60D5BDPQ-E0#T2 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- ADI performansı azaldı, bakır folyo substratları yükseldi, orijinal fabrikanın depolanması üretim muhafazakar
- Arabadaki zeka dalgası geliyor ve Aimus Oslang, Sagita Juguang'ın MX LIDAR'ı serbest bırakmasına yardımcı oldu
- HBM üretim kapasitesi hariç tutulur, DRAM belleği yılın ikinci yarısında yetersiz olabilir
- Duvar kurucuları bitecek, HBM veya DRAM'ın tekrar yükselmesine neden olacak
- AI cep telefonu ve PC genişleme talebi, küresel yarı iletken üretim endüstrisinin iyileştirilmesi
- Ağ Güvenliği Görüntü Sensörleri için ADAS ve Kabin İzleme Sistemlerinin ihtiyaçlarını anlayın
- Samsung ve SK Hynix'in DDR3'ü durdurduğu ve promosyon alıntısının % 20 arttığı söylentileri var
- Melexis MLX90427: Yeni Seçim, Güvenli, Verimli ve Ekonomik Çizgi Kontrolü yayınladı
- NXP ve Ansonmei'nin finansal raporu duyuruldu ve bakır fiyatlarının fiyatı IC endüstrisine aktarıldı
- Moels Micro Electronics, Tayvan, Çin'de iş bölgesini genişletmek için yeni bir ofis kurdu
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı