IXFK120N30P3 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, IXFK120N30P3 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize IXFK120N30P3 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
IXFK120N30P3 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
IXFK120N30P3
- Parça Numarası:
- IXFK120N30P3
- Üretici firma:
- IXYS Corporation
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 49291 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- IXFK120N30P3.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Gerilim - Deney: | 8630pF @ 25V |
| Gerilim - Arıza: | TO-264AA (IXFK) |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 27 mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (Maks.): | 10V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dizi: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RoHS Durumu: | Tube |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 120A (Tc) |
| polarizasyon: | TO-264-3, TO-264AA |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Through Hole |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 12 Weeks |
| Üretici parti numarası: | IXFK120N30P3 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 150nC @ 10V |
| IGBT Tipi: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 5V @ 4mA |
| FET Özelliği: | N-Channel |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 300V 120A (Tc) 1130W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK) |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | - |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 300V 120A TO-264 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 300V |
| kapasitans Oranı: | 1130W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
IXFK120N30P3 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- Computex 2024'te ARM ortaya çıktı: 2025'in sonuna kadar AI için 100 milyardan fazla kol cihazının kullanılabilmesi bekleniyor
- Qorvo, endüstrinin olağanüstü yüksek kazançlı 5g mmimo ön hazırlıklarını başlattı
- Simülasyon döngüsü envanteri dipte, yapay zeka flaş bellek talebini yönlendirir
- Micron'un bir fabrika kurma planı, yüksek fiyatlarla flaş belleği veya bakım
- ADI performansı azaldı, bakır folyo substratları yükseldi, orijinal fabrikanın depolanması üretim muhafazakar
- Arabadaki zeka dalgası geliyor ve Aimus Oslang, Sagita Juguang'ın MX LIDAR'ı serbest bırakmasına yardımcı oldu
- HBM üretim kapasitesi hariç tutulur, DRAM belleği yılın ikinci yarısında yetersiz olabilir
- Duvar kurucuları bitecek, HBM veya DRAM'ın tekrar yükselmesine neden olacak
- AI cep telefonu ve PC genişleme talebi, küresel yarı iletken üretim endüstrisinin iyileştirilmesi
- Ağ Güvenliği Görüntü Sensörleri için ADAS ve Kabin İzleme Sistemlerinin ihtiyaçlarını anlayın
- Samsung ve SK Hynix'in DDR3'ü durdurduğu ve promosyon alıntısının % 20 arttığı söylentileri var
- Melexis MLX90427: Yeni Seçim, Güvenli, Verimli ve Ekonomik Çizgi Kontrolü yayınladı