FDD13AN06A0_F085 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, FDD13AN06A0_F085 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize FDD13AN06A0_F085 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
FDD13AN06A0_F085 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
FDD13AN06A0_F085
- Parça Numarası:
- FDD13AN06A0_F085
- Üretici firma:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 57521 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- FDD13AN06A0_F085.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Gerilim - Deney: | 1350pF @ 25V |
| Gerilim - Arıza: | TO-252AA |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 13.5 mOhm @ 50A, 10V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dizi: | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| RoHS Durumu: | Tube |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 9.9A (Ta), 50A (Tc) |
| polarizasyon: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici parti numarası: | FDD13AN06A0_F085 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 29nC @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Özelliği: | N-Channel |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | - |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 60V |
| kapasitans Oranı: | 115W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
FDD13AN06A0_F085 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- Yerel olgun çip hacmi, Samsung Nand yük yakınında flaş bellek üretim kapasitesi
- Vishay, mayınlı ambalajı başlattı Yüksek parlaklık küçük mavi ve saf yeşil led
- Ansonmei, Endüstriyel ve Ulaşım Pazarı için bir endüktif konum sensörü başlattı
- Ruisa, güç cihazını artırmak için eski fabrikayı başlatır, deprem DRAM çıkışını hafifçe etkiler
- Microchip, TSMC'nin üretim kapasitesini sağlar ve fiyat artışlarını artırır
- Ruisa yeni RA0 Serisi Ultra -Low Power Giriş -Level MCU'yu başlattı
- Melexis tam entegre bir indüktör anahtarı çipini başlattı
- X-FAB, CMOS sensörü performansını artırmak için görüntü sensörü geri aydınlatma teknolojisini tanıttı
- Büyük çip fabrikası depremden etkilendi: TSMC acilen çalışmayı bıraktı, GPU arzını kısa sürede şiddetlendirdi mi?
- NAND Flash Bellek devam ediyor, MCU Destacturing Dip Doğru