FDD13AN06A0_F085 tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk FDD13AN06A0_F085, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk FDD13AN06A0_F085 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli FDD13AN06A0_F085 dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
FDD13AN06A0_F085
- Nomor bagian:
- FDD13AN06A0_F085
- Pabrikan:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Deskripsi:
- MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 57521 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- FDD13AN06A0_F085.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Tegangan - Uji: | 1350pF @ 25V |
| Tegangan - Breakdown: | TO-252AA |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 13.5 mOhm @ 50A, 10V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seri: | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| Status RoHS: | Tube |
| Rds Pada (Max) @ Id, Vgs: | 9.9A (Ta), 50A (Tc) |
| Polarisasi: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Suhu Operasional: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Nomor Bagian Produsen: | FDD13AN06A0_F085 |
| Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS: | 29nC @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| Fitur FET: | N-Channel |
| Deskripsi yang Diperluas: | N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss): | - |
| Deskripsi: | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C: | 60V |
| kapasitansi Ratio: | 115W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk FDD13AN06A0_F085
Latest Berita
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?
- Memori nand flash berlanjut, mcu destocking bount benar