DG2616DN-T1-E4 şimdi kullanılabilir!LYNTEAM teknolojisi, DG2616DN-T1-E4 için stoklama distribütörüdür, acil nakliye için hisse senetleri var ve ayrıca uzun süre tedarik için de mevcut.Lütfen bize DG2616DN-T1-E4 için satın alma planınızı e-posta yoluyla gönderin, planınıza göre size en iyi fiyat vereceğiz.
DG2616DN-T1-E4 LYNTEAM ile satın alın, paranızı ve zamanınızı kaydedin.
E-postamız: [email protected]
DG2616DN-T1-E4
- Parça Numarası:
- DG2616DN-T1-E4
- Üretici firma:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Açıklama:
- IC SWITCH LV DUAL SPST 10DFN
- Kurşunsuz Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- Stok miktarı:
- 58274 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days
- Teslim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- DG2616DN-T1-E4.pdf
Giriş
Özellikler
| Şart | New & Original, tested |
|---|---|
| Menşei ülke | Contact us |
| İşaretleme kodu | Send by email |
| Gerilim - Besleme, Tek (V +): | 1.5 V ~ 3.6 V |
| Gerilim - Besleme, Çift (V ±): | - |
| Anahtar Süresi (Ton, Toff) (Maks.): | 69ns, 39ns |
| Anahtar Devresi: | SPDT |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 10-DFN (3x3) |
| Dizi: | - |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 10-VFDFN Exposed Pad |
| Çalışma sıcaklığı: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Devlet Direnişi (Maks): | 7 Ohm |
| Devre sayısı: | 2 |
| Çoklayıcı / Demultiplekser Devresi: | 2:1 |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detaylı Açıklama: | 2 Circuit IC Switch 2:1 7 Ohm 10-DFN (3x3) |
| Akım - Sızıntı (IS (kapalı)) (Maks.): | 2nA |
| Diyafoni: | -80dB @ 1MHz |
| Şarj Enjeksiyonu: | 7pC |
| Kanaldan Kanalla Eşleştirme (ΔRon): | 100 mOhm |
| Kanal Kapasitesi (CS (kapalı), CD (kapalı)): | 9pF |
| Temel Parça Numarası: | DG2616 |
| -3dB Bant Genişliği: | - |
| Email: | [email protected] |
DG2616DN-T1-E4 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- ADI performansı azaldı, bakır folyo substratları yükseldi, orijinal fabrikanın depolanması üretim muhafazakar
- Arabadaki zeka dalgası geliyor ve Aimus Oslang, Sagita Juguang'ın MX LIDAR'ı serbest bırakmasına yardımcı oldu
- HBM üretim kapasitesi hariç tutulur, DRAM belleği yılın ikinci yarısında yetersiz olabilir
- Duvar kurucuları bitecek, HBM veya DRAM'ın tekrar yükselmesine neden olacak
- AI cep telefonu ve PC genişleme talebi, küresel yarı iletken üretim endüstrisinin iyileştirilmesi
- Ağ Güvenliği Görüntü Sensörleri için ADAS ve Kabin İzleme Sistemlerinin ihtiyaçlarını anlayın
- Samsung ve SK Hynix'in DDR3'ü durdurduğu ve promosyon alıntısının % 20 arttığı söylentileri var
- Melexis MLX90427: Yeni Seçim, Güvenli, Verimli ve Ekonomik Çizgi Kontrolü yayınladı
- NXP ve Ansonmei'nin finansal raporu duyuruldu ve bakır fiyatlarının fiyatı IC endüstrisine aktarıldı
- Moels Micro Electronics, Tayvan, Çin'de iş bölgesini genişletmek için yeni bir ofis kurdu
- Texas Instruments'ın performansı hala artırılmalı ve iki depolama fabrikası yeni Flash Memory ürünlerini zorladı
- SEF Semiconductor (ST) 'nin ilk çeyrek finansal raporu azalıyor ve otomobil talebi yavaşladı